Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

એન્ટિમોની ટેલ્યુરાઇડ Sb₂Te₃|અલ₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

વર્ણન

એન્ટિમોની ટેલ્યુરાઇડSb₂Te₃, સામયિક કોષ્ટકમાં જૂથ VA, VIA તત્વોનું સંયોજન સેમિકન્ડક્ટર.હેક્સાગોનલ-રોમ્બોહેડ્રલ માળખું સાથે, ઘનતા 6.5g/cm³, ગલનબિંદુ 620^oC, બેન્ડ ગેપ 0.23eV, CAS 1327-50-0, MW 626.32, તે નાઈટ્રિક એસિડમાં દ્રાવ્ય છે અને એસિડ સાથે અસંગત છે, પાણીમાં અદ્રાવ્ય છે અને બિન-જ્વલનશીલતાની સ્થિરતા છે.એન્ટિમોની ટેલ્યુરાઇડ જૂથ-15 મેટાલોઇડ ટ્રાઇકાલકોજેનાઇડ્સ, એસબી સાથે સંબંધિત છે₂Te₃સ્ફટિકોમાં લાક્ષણિક બાજુનું કદ, લંબચોરસ આકાર અને ધાતુનો દેખાવ હોય છે, સ્તરો વાન ડેર વાલ્સ ક્રિયાપ્રતિક્રિયા દ્વારા એકસાથે સ્ટેક કરવામાં આવે છે અને પાતળા 2D સ્તરોમાં એક્સફોલિયેટ કરી શકાય છે.બ્રિજમેન પદ્ધતિ દ્વારા તૈયાર કરાયેલ, એન્ટિમોની ટેલ્યુરાઇડ એ સેમિકન્ડક્ટર, ટોપોલોજીકલ ઇન્સ્યુલેટર અને થર્મોઇલેક્ટ્રિક સામગ્રી, સૌર કોષ સામગ્રી, વેક્યૂમ બાષ્પીભવન છે.દરમિયાન, એસ.બી2Te3હાઇ પર્ફોર્મન્સ ફેઝ ચેન્જ મેમરી અથવા ઓપ્ટિકલ ડેટા સ્ટોરેજ એપ્લીકેશન માટે એક મહત્વપૂર્ણ આધાર સામગ્રી છે.ટેલ્યુરાઇડ સંયોજનો ઇલેક્ટ્રોલાઇટ સામગ્રી, સેમિકન્ડક્ટર ડોપન્ટ, ક્યુએલઇડી ડિસ્પ્લે, આઇસી ફિલ્ડ વગેરે અને અન્ય સામગ્રી ક્ષેત્રો તરીકે ઘણી એપ્લિકેશનો શોધે છે.

ડિલિવરી

એન્ટિમોની ટેલ્યુરાઇડ Sb₂Te₃અને એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ અલ₂Te₃, આર્સેનિક ટેલ્યુરાઇડ એઝ₂Te₃, બિસ્મથ ટેલ્યુરાઇડ Bi₂Te₃, Gallium Telluride Ga₂Te₃વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશનમાં 4N 99.99% અને 5N 99.999% શુદ્ધતા પાવડર -60mesh, -80mesh, ગ્રાન્યુલ 1-6mm, ગઠ્ઠો 1-20mm, ચંક, બલ્ક ક્રિસ્ટલ, સળિયા અને સબસ્ટ્રેટ વગેરે અથવા કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્વરૂપે ઉપલબ્ધ છે. સંપૂર્ણ ઉકેલ સુધી પહોંચવા માટે સ્પષ્ટીકરણ.

હવે પૂછપરછ

વિગતો

ટૅગ્સ

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

ટેલ્યુરાઇડ સંયોજનો

ટેલ્યુરાઇડ સંયોજનોધાતુના તત્વો અને મેટાલોઇડ સંયોજનોનો સંદર્ભ લો, જે સંયોજન આધારિત નક્કર દ્રાવણ બનાવવા માટે ચોક્કસ શ્રેણીમાં સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક રચના બદલાતી હોય છે.આંતર-ધાતુ સંયોજન ધાતુ અને સિરામિક વચ્ચેના તેના ઉત્તમ ગુણધર્મો ધરાવે છે, અને નવી માળખાકીય સામગ્રીની એક મહત્વપૂર્ણ શાખા બની જાય છે.એન્ટિમોની ટેલ્યુરાઇડ Sb ના ટેલ્યુરાઇડ સંયોજનો₂Te₃, એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ અલ₂Te₃, આર્સેનિક ટેલ્યુરાઇડ એઝ₂Te₃, બિસ્મથ ટેલ્યુરાઇડ Bi₂Te₃, Cadmium Telluride CdTe, Cadmium Zinc Telluride CdZnTe, Cadmium Manganese Telluride CdMnTe અથવા CMT, કોપર ટેલ્યુરાઇડ Cu₂Te, Gallium Telluride Ga₂Te₃, જર્મેનિયમ ટેલ્યુરાઇડ GeTe, ઇન્ડિયમ ટેલ્યુરાઇડ InTe, લીડ ટેલ્યુરાઇડ PbTe, મોલિબડેનમ ટેલ્યુરાઇડ MoTe₂, ટંગસ્ટન ટેલ્યુરાઇડ WTe₂અને તેના (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) સંયોજનો અને રેર અર્થ સંયોજનો પાવડર, ગ્રાન્યુલ, ગઠ્ઠો, બાર, સબસ્ટ્રેટ, બલ્ક ક્રિસ્ટલ અને સિંગલ ક્રિસ્ટલના રૂપમાં સંશ્લેષણ કરી શકાય છે...

ના.	વસ્તુ	માનક સ્પષ્ટીકરણ
ના.	વસ્તુ	ફોર્મ્યુલા	શુદ્ધતા	કદ અને પેકિંગ
1	ઝિંક ટેલ્યુરાઇડ	ZnTe	5N	-60mesh, -80mesh પાવડર, 1-20mm અનિયમિત ગઠ્ઠો, 1-6mm ગ્રેન્યુલ, લક્ષ્ય અથવા ખાલી. 500 ગ્રામ અથવા 1000 ગ્રામ પોલિઇથિલિન બોટલ અથવા સંયુક્ત બેગ, બહાર કાર્ટન બોક્સ. ટેલ્યુરાઇડ સંયોજનોની રચના વિનંતી પર ઉપલબ્ધ છે. વિશિષ્ટ સ્પષ્ટીકરણ અને એપ્લિકેશન સંપૂર્ણ ઉકેલ માટે કસ્ટમાઇઝ કરી શકાય છે
2	આર્સેનિક ટેલ્યુરાઇડ	As₂Te₃	4N 5N
3	એન્ટિમોની ટેલ્યુરાઇડ	એસ.બી₂Te₃	4N 5N
4	એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ	Al₂Te₃	4N 5N
5	બિસ્મથ ટેલ્યુરાઇડ	Bi₂Te₃	4N 5N
6	કોપર ટેલ્યુરાઇડ	Cu₂Te	4N 5N
7	કેડમિયમ ટેલ્યુરાઇડ	CdTe	5N 6N 7N
8	કેડમિયમ ઝીંક ટેલ્યુરાઇડ	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	કેડમિયમ મેંગેનીઝ ટેલ્યુરાઇડ	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	ગેલિયમ ટેલ્યુરાઇડ	Ga₂Te₃	4N 5N
11	જર્મનિયમ ટેલ્યુરાઇડ	GeTe	4N 5N
12	ઇન્ડિયમ ટેલ્યુરાઇડ	InTe	4N 5N
13	લીડ ટેલ્યુરાઇડ	PbTe	5N
14	મોલિબડેનમ ટેલ્યુરાઇડ	MoTe₂	3N5
15	ટંગસ્ટન ટેલ્યુરાઇડ	WTe₂	3N5

એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ

એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ અલ₂Te₃અથવાટ્રીટ્યુરિયમ ડાયલ્યુમિનિયમ, CAS 12043-29-7, MW 436.76, ઘનતા 4.5g/cm³, કોઈ ગંધ નથી, તે ગ્રે-બ્લેક ષટ્કોણ સ્ફટિક છે, અને ઓરડાના તાપમાને સ્થિર છે, પરંતુ ભેજવાળી હવામાં હાઇડ્રોજન ટેલ્યુરાઇડ અને એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડમાં વિઘટિત થાય છે.એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ અલ₂Te₃,1000°C પર Al અને Te પર પ્રતિક્રિયા કરીને રચના કરી શકાય છે, દ્વિસંગી સિસ્ટમ Al-Te મધ્યવર્તી તબક્કાઓ AlTe, Al ધરાવે છે.₂Te₃(α-તબક્કો અને β-તબક્કો) અને Al₂Te₅, α- Al નું સ્ફટિક માળખું₂Te₃મોનોક્લીનિક છે.એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ અલ₂Te₃મુખ્યત્વે ફાર્માસ્યુટિકલ કાચી સામગ્રી, સેમિકન્ડક્ટર અને ઇન્ફ્રારેડ સામગ્રી માટે વપરાય છે.એલ્યુમિનિયમ ટેલ્યુરાઇડ અલ₂Te₃4N 99.99% અને 5N 99.999% શુદ્ધતા સાથે વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશનમાં પાવડર, ગ્રાન્યુલ, ગઠ્ઠો, ચંક, બલ્ક ક્રિસ્ટલ વગેરેના રૂપમાં અથવા બોટલ અથવા સંયુક્ત બેગ દ્વારા વેક્યૂમ પેકેજ સાથે કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પેસિફિકેશન તરીકે ઉપલબ્ધ છે.

આર્સેનિક ટેલ્યુરાઇડ

આર્સેનિક ટેલ્યુરાઇડ અથવા આર્સેનિક ડીટેલ્યુરાઇડ તરીકે₂Te₃, જૂથ I-III દ્વિસંગી સંયોજન, બે ક્રિસ્ટલોગ્રાફિક આલ્ફા-એઝમાં છે₂Te₃અને બીટા-એઝ₂Te₃, જેમાંથી બીટા-એઝ₂Te₃રોમ્બોહેડ્રલ સ્ટ્રક્ચર સાથે, એલોયની સામગ્રીને સમાયોજિત કરીને રસપ્રદ થર્મોઇલેક્ટ્રિક (TE) ગુણધર્મો દર્શાવે છે.પોલીક્રિસ્ટલાઇન આર્સેનિક ટેલ્યુરાઇડ એઝ₂Te₃પાવડર ધાતુશાસ્ત્ર દ્વારા સંશ્લેષિત સંયોજન ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા સાથે નવલકથા TE સામગ્રીને ડિઝાઇન કરવા માટે એક રસપ્રદ પ્લેટફોર્મ હોઈ શકે છે.As2Te3 ના સિંગલ ક્રિસ્ટલ્સને HCl 25% w/w સોલ્યુશનમાં પાઉડર As અને Te ના stoichiometric જથ્થાના મિશ્રણને ગરમ કરીને અને ધીમે ધીમે ઠંડુ કરીને હાઇડ્રોથર્મલી રીતે તૈયાર કરવામાં આવે છે.તેનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે સેમિકન્ડક્ટર, ટોપોલોજીકલ ઇન્સ્યુલેટર, થર્મોઇલેક્ટ્રિક સામગ્રી તરીકે થાય છે.આર્સેનિક ટેલ્યુરાઇડ તરીકે₂Te₃વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશનમાં 99.99% 4N, 99.999% 5N ની શુદ્ધતા સાથે પાવડર, ગ્રાન્યુલ, ગઠ્ઠો, ચંક, બલ્ક ક્રિસ્ટલ વગેરેના સ્વરૂપમાં અથવા કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પેસિફિકેશન તરીકે વિતરિત કરી શકાય છે.

બિસ્મથ ટેલ્યુરાઇડ

બિસ્મથ ટેલ્યુરાઇડ બી₂Te₃, P પ્રકાર અથવા N-પ્રકાર, CAS નંબર 1304-82-1, MW 800.76, ઘનતા 7.642 g/cm³, ગલનબિંદુ 585⁰C, વેક્યૂમ સ્મેલ્ટિંગ-નિયંત્રિત સ્ફટિકીકરણ પ્રક્રિયા દ્વારા સંશ્લેષણ કરવામાં આવે છે જેમ કે બ્રિજમેન-સ્ટોકબાર્બર પદ્ધતિ અને ઝોન-ફ્લોટિંગ પદ્ધતિ.થર્મોઇલેક્ટ્રિક સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રી તરીકે, બિસ્મથ ટેલ્યુરાઇડ સ્યુડો દ્વિસંગી એલોય અવકાશ વાહનોમાં સાધનો અને ઊર્જા ઉત્પાદનના વિશાળ સ્પેક્ટ્રમમાં લઘુચિત્ર બહુમુખી કૂલિંગ ઉપકરણો માટે ઓરડાના તાપમાને થર્મોઇલેક્ટ્રિક કૂલિંગ એપ્લિકેશન માટે શ્રેષ્ઠ લાક્ષણિકતાઓ રજૂ કરે છે.પોલીક્રિસ્ટલાઇનને બદલે યોગ્ય રીતે લક્ષી સિંગલ ક્રિસ્ટલ્સનો ઉપયોગ કરીને, થર્મોઇલેક્ટ્રિક ઉપકરણ (થર્મોઇલેક્ટ્રિક કૂલર અથવા થર્મોઇલેક્ટ્રિક જનરેટર) ની કાર્યક્ષમતા ખૂબ વધારી શકાય છે, જે સેમિકન્ડક્ટર રેફ્રિજરેશન અને તાપમાન તફાવત પાવર જનરેશન ફાઇલમાં સ્થાપિત કરી શકાય છે, અને ઓપ્ટોઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને Bi2Te3 પાતળા માટે પણ. ફિલ્મ સામગ્રી.બિસ્મથ ટેલ્યુરાઇડ બી₂Te₃વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશન ખાતે 4N 99.99% અને 5N 99.999% શુદ્ધતા સાથે વિતરિત કરવા માટે પાવડર, ગ્રાન્યુલ, ગઠ્ઠો, સળિયા, સબસ્ટ્રેટ, બલ્ક ક્રિસ્ટલ વગેરેના કદમાં છે.

ગેલિયમ ટેલ્યુરાઇડ

ગેલિયમ ટેલ્યુરાઇડ ગા₂Te₃MW 522.24, CAS 12024-27-0, ગલનબિંદુ 790℃ અને ઘનતા 5.57g/cm સાથે સખત અને બરડ કાળા ક્રિસ્ટલ છે³.સિંગલ ક્રિસ્ટલ Gallium Telluride GaTe વિવિધ વૃદ્ધિ તકનીકોનો ઉપયોગ કરીને વિકસાવવામાં આવે છે જેમ કે બ્રિજમેન ગ્રોથ, કેમિકલ વેપર ટ્રાન્સપોર્ટ CVT અથવા ફ્લક્સ ઝોન ગ્રોથ અનાજના કદ, ખામી એકાગ્રતા, માળખાકીય, ઓપ્ટિકલ અને ઈલેક્ટ્રોનિક સુસંગતતાને ઑપ્ટિમાઇઝ કરવા માટે.પરંતુ ફ્લક્સ ઝોન ટેકનિક એ સાચા અર્થમાં સેમિકન્ડક્ટર ગ્રેડ vdW ક્રિસ્ટલ્સના સંશ્લેષણ માટે ઉપયોગમાં લેવાતી હલાઈડ ફ્રી ટેકનિક છે, જે સંપૂર્ણ અણુ માળખું અને અશુદ્ધિ મુક્ત ક્રિસ્ટલ વૃદ્ધિ માટે ધીમા સ્ફટિકીકરણને સુનિશ્ચિત કરવા માટે કેમિકલ વેપર ટ્રાન્સપોર્ટ CVT ટેકનિકથી અલગ પાડે છે.Gallium Telluride GaTe એ બે ફેરફારો સાથે III-VI મેટલ કમ્પાઉન્ડ ક્રિસ્ટલ સાથે સંકળાયેલા એક સ્તરીય સેમિકન્ડક્ટર છે, જે એક મોનોક્લિનિકનું સ્થિર α-GaTe અને ષટ્કોણનું metastable β-GaTe બંધારણમાં, સારી p-પ્રકાર પરિવહન ગુણધર્મો, એક ડાયરેક્ટ બેન્ડ- બલ્કમાં 1.67 eV નું ગેપ, ષટ્કોણ તબક્કો ઊંચા તાપમાને મોનોક્લિનિક તબક્કામાં રૂપાંતરિત થાય છે.ગેલિયમ ટેલ્યુરાઇડ સ્તરીય સેમિકન્ડક્ટરમાં ભાવિ ઓપ્ટો-ઇલેક્ટ્રોનિક એપ્લિકેશનો માટે આકર્ષક ગુણધર્મો છે.ગેલિયમ ટેલ્યુરાઇડ ગા₂Te₃વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશનમાં 99.99% 4N, 99.999% 5N ની શુદ્ધતા સાથે પાવડર, ગ્રાન્યુલ, ગઠ્ઠો, ચંક, સળિયા, બલ્ક ક્રિસ્ટલ વગેરેના રૂપમાં અથવા કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પેસિફિકેશન તરીકે વિતરિત કરી શકાય છે.