ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ GaSb

વર્ણન

ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ GaSb, ઝીંક-બ્લેન્ડ લેટીસ સ્ટ્રક્ચર સાથેના જૂથ III-V સંયોજનોનો સેમિકન્ડક્ટર, 6N 7N ઉચ્ચ શુદ્ધતા ગેલિયમ અને એન્ટિમોની તત્વો દ્વારા સંશ્લેષણ કરવામાં આવે છે, અને EPD<1000cm સાથે ડાયરેક્ટલી ફ્રોઝન પોલીક્રિસ્ટલાઇન ઇનગોટ અથવા VGF પદ્ધતિથી LEC પદ્ધતિ દ્વારા સ્ફટિકમાં ઉગાડવામાં આવે છે.^-3.GaSb વેફરને વિદ્યુત પરિમાણોની ઉચ્ચ એકરૂપતા, અનન્ય અને સતત જાળી રચનાઓ અને નીચી ખામી ઘનતા, મોટાભાગના અન્ય બિન-ધાતુ સંયોજનો કરતાં સૌથી વધુ રીફ્રેક્ટિવ ઇન્ડેક્સ સાથે સિંગલ ક્રિસ્ટલાઇન ઇન્ગોટમાંથી પછીથી કાપીને બનાવી શકાય છે.GaSb ને ચોક્કસ અથવા બંધ ઓરિએન્ટેશન, ઓછી અથવા ઉચ્ચ ડોપેડ સાંદ્રતા, સારી સપાટી પૂર્ણાહુતિ અને MBE અથવા MOCVD એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ માટે વિશાળ પસંદગી સાથે પ્રક્રિયા કરી શકાય છે.ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ સબસ્ટ્રેટનો ઉપયોગ સૌથી અત્યાધુનિક ફોટો-ઓપ્ટિક અને ઓપ્ટોઈલેક્ટ્રોનિક એપ્લિકેશન્સમાં થઈ રહ્યો છે જેમ કે ફોટો ડિટેક્ટરના ફેબ્રિકેશન, લાંબા આયુષ્ય સાથે ઈન્ફ્રારેડ ડિટેક્ટર, ઉચ્ચ સંવેદનશીલતા અને વિશ્વસનીયતા, ફોટોરેસિસ્ટ ઘટક, ઈન્ફ્રારેડ એલઈડી અને લેસર, ટ્રાન્ઝિસ્ટર, થર્મલ સેલ ફોટોવોલ્ટેનિક. અને થર્મો-ફોટોવોલ્ટેઇક સિસ્ટમ્સ.

ડિલિવરી

વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશન ખાતે ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ GaSb 2” 3” અને 4” (50mm, 75mm, 100mm) વ્યાસ, ઓરિએન્ટેશન <111>ના કદમાં n-ટાઈપ, p-ટાઈપ અને અનડોપેડ સેમી-ઇન્સ્યુલેટીંગ વાહકતા સાથે ઓફર કરી શકાય છે. અથવા <100>, અને વેફર સરફેસ ફિનિશ સાથે જેમ-કટ, કોતરણી, પોલીશ્ડ અથવા ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળી એપિટેક્ષી તૈયાર ફિનીશ.તમામ સ્લાઇસેસ ઓળખ માટે વ્યક્તિગત રીતે લેસર દ્વારા લખવામાં આવે છે.દરમિયાન, પોલીક્રિસ્ટલાઇન ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ GaSb લમ્પ પણ સંપૂર્ણ ઉકેલની વિનંતી પર કસ્ટમાઇઝ કરવામાં આવે છે.

હવે પૂછપરછ

વિગતો

ટૅગ્સ

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ

GaSb

ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ GaSbસબસ્ટ્રેટનો ઉપયોગ સૌથી અત્યાધુનિક ફોટો-ઓપ્ટિક અને ઓપ્ટોઈલેક્ટ્રોનિક એપ્લિકેશન્સમાં થઈ રહ્યો છે જેમ કે ફોટો ડિટેક્ટરના ફેબ્રિકેશન, લાંબા આયુષ્યવાળા ઈન્ફ્રારેડ ડિટેક્ટર, ઉચ્ચ સંવેદનશીલતા અને વિશ્વસનીયતા, ફોટોરેસિસ્ટ ઘટક, ઈન્ફ્રારેડ એલઈડી અને લેસર, ટ્રાન્ઝિસ્ટર, થર્મલ ફોટોવોલ્ટેઈક સેલ અને થર્મો. - ફોટોવોલ્ટેઇક સિસ્ટમ્સ.

	વસ્તુઓ	માનક સ્પષ્ટીકરણ
1	કદ	2"	3"	4"
2	વ્યાસ મીમી	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	વૃદ્ધિ પદ્ધતિ	એલઈસી	એલઈસી	એલઈસી
4	વાહકતા	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	ઓરિએન્ટેશન	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	જાડાઈ μm	500±25	600±25	800±25
7	ઓરિએન્ટેશન ફ્લેટ મીમી	16±2	22±1	32.5±1
8	ઓળખ ફ્લેટ મીમી	8±1	11±1	18±1
9	ગતિશીલતા cm2/Vs	200-3500 અથવા જરૂરિયાત મુજબ
10	વાહક સાંદ્રતા cm-3	(1-100)E17 અથવા જરૂરિયાત મુજબ
11	TTV μm મહત્તમ	15	15	15
12	બોવ μm મહત્તમ	15	15	15
13	વાર્પ μm મહત્તમ	20	20	20
14	ડિસલોકેશન ડેન્સિટી સેમી-2 મહત્તમ	500	1000	2000
15	સપાટી સમાપ્ત	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	પેકિંગ	સિંગલ વેફર કન્ટેનર એલ્યુમિનિયમ બેગમાં બંધ.

લીનિયર ફોર્મ્યુલા	GaSb
મોલેક્યુલર વજન	191.48
ક્રિસ્ટલ માળખું	ઝીંક મિશ્રણ
દેખાવ	ગ્રે સ્ફટિકીય ઘન
ગલાન્બિંદુ	710°C
ઉત્કલન બિંદુ	N/A
300K પર ઘનતા	5.61 ગ્રામ/સે.મી³
એનર્જી ગેપ	0.726 eV
આંતરિક પ્રતિકારકતા	1E3 Ω-સેમી
CAS નંબર	12064-03-8
EC નંબર	235-058-8

ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ GaSbવેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશનમાં 2” 3” અને 4” (50mm, 75mm, 100mm) વ્યાસ, ઓરિએન્ટેશન <111> અથવા <100 ના કદમાં n-ટાઈપ, p-ટાઈપ અને અનડોપેડ સેમી-ઇન્સ્યુલેટીંગ વાહકતા સાથે ઓફર કરી શકાય છે. >, અને વેફર સરફેસ ફિનિશ સાથે જેમ-કટ, કોતરણી, પોલીશ્ડ અથવા ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળી એપિટેક્સી તૈયાર ફિનિશ.તમામ સ્લાઇસેસ ઓળખ માટે વ્યક્તિગત રીતે લેસર દ્વારા લખવામાં આવે છે.દરમિયાન, પોલીક્રિસ્ટલાઇન ગેલિયમ એન્ટિમોનાઇડ GaSb લમ્પ પણ સંપૂર્ણ ઉકેલની વિનંતી પર કસ્ટમાઇઝ કરવામાં આવે છે.