FZ NTD સિલિકોન વેફર

વર્ણન

FZ-NTD સિલિકોન વેફર, જે ફ્લોટ-ઝોન ન્યુટ્રોન ટ્રાન્સમ્યુટેશન ડોપેડ સિલિકોન વેફર તરીકે ઓળખાય છે.ઓક્સિજન-મુક્ત, ઉચ્ચ શુદ્ધતા અને ઉચ્ચ પ્રતિકારકતા સિલિકોન મેળવી શકાય છે by ફ્લોટ-ઝોન FZ ( ઝોન-ફ્લોટિંગ) સ્ફટિક વૃદ્ધિ, High પ્રતિરોધકતા FZ સિલિકોન ક્રિસ્ટલ ઘણીવાર ન્યુટ્રોન ટ્રાન્સમ્યુટેશન ડોપિંગ (NTD) પ્રક્રિયા દ્વારા ડોપ કરવામાં આવે છે, જેમાં ન્યુટ્રોન સાથે ફસાયેલા સિલિકોન આઇસોટોપ બનાવવા માટે અનડોપ્ડ ફ્લોટ ઝોન સિલિકોન પર ન્યુટ્રોન ઇરેડિયેશન થાય છે અને પછી ડોપિંગ ધ્યેય હાંસલ કરવા માટે ઇચ્છિત ડોપન્ટ્સમાં ક્ષીણ થાય છે.ન્યુટ્રોન કિરણોત્સર્ગના સ્તરને સમાયોજિત કરીને, બાહ્ય ડોપન્ટ્સ દાખલ કર્યા વિના અને તેથી સામગ્રીની શુદ્ધતાની ખાતરી આપ્યા વિના પ્રતિકારકતાને બદલી શકાય છે.FZ NTD સિલિકોન વેફર્સ ( ફ્લોટ ઝોન ન્યુટ્રોન ટ્રાન્સમ્યુટેશન ડોપિંગ સિલિકોન) સમાન ડોપિંગ સાંદ્રતા અને સમાન રેડિયલ રેઝિસ્ટિવિટી વિતરણના પ્રીમિયમ તકનીકી ગુણધર્મો ધરાવે છે, ન્યૂનતમ અશુદ્ધતા સ્તરો,અને ઉચ્ચ લઘુમતી વાહક જીવનકાળ.

ડિલિવરી

આશાસ્પદ પાવર એપ્લીકેશન માટે NTD સિલિકોનના બજાર અગ્રણી સપ્લાયર તરીકે અને ઉચ્ચ ગુણવત્તાની સ્તરની વેફર્સની વધતી જતી માંગને પગલે, શ્રેષ્ઠ FZ NTD સિલિકોન વેફરવેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશન પર વિશ્વભરના અમારા ગ્રાહકોને 2″, 3″, 4″, 5″ અને 6″ વ્યાસ (50mm, 75mm, 100mm, 125mm અને 150mm) અને પ્રતિકારકતાની વિશાળ શ્રેણીના વિવિધ કદમાં ઓફર કરી શકાય છે. ફોમ બોક્સ અથવા કેસેટના પેકેજમાં 5 થી 2000 ohm.cm <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> એજ-કટ, લેપ્ડ, એચેડ અને પોલિશ્ડ સરફેસ ફિનિશ સાથે ઓરિએન્ટેશન , અથવા સંપૂર્ણ ઉકેલ માટે કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પષ્ટીકરણ તરીકે.

હવે પૂછપરછ

વિગતો

ટૅગ્સ

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

FZ NTD સિલિકોન વેફર

આશાસ્પદ પાવર એપ્લીકેશન માટે FZ NTD સિલિકોનના બજાર અગ્રણી સપ્લાયર તરીકે અને ઉચ્ચ ગુણવત્તાની સ્તરની વેફર્સની વધતી જતી માંગને પગલે, વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશન ખાતે શ્રેષ્ઠ FZ NTD સિલિકોન વેફર વિશ્વભરના અમારા ગ્રાહકોને 2 થી લઈને વિવિધ કદમાં ઓફર કરી શકાય છે. ″ થી 6″ વ્યાસમાં (50, 75, 100, 125 અને 150 મીમી) અને <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- માં 5 થી 2000 ઓહ્મ-સેમી પ્રતિકારકતાની વિશાળ શ્રેણી 0> ફોમ બોક્સ અથવા કેસેટના પેકેજમાં લેપ્ડ, એચેડ અને પોલિશ્ડ સરફેસ ફિનિશ સાથે ઓરિએન્ટેશન, બહારના કાર્ટન બોક્સ અથવા પરફેક્ટ સોલ્યુશન માટે કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પેસિફિકેશન તરીકે.

ના.	વસ્તુઓ	માનક સ્પષ્ટીકરણ
1	કદ	2"	3"	4"	5"	6"
2	વ્યાસ	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	વાહકતા	n-પ્રકાર	n-પ્રકાર	n-પ્રકાર	n-પ્રકાર	n-પ્રકાર
4	ઓરિએન્ટેશન	<100>, <111>, <110>
5	જાડાઈ μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 અથવા જરૂર મુજબ
6	પ્રતિકારકતા Ω-સેમી	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 અથવા જરૂર મુજબ
7	RRV મહત્તમ	8%, 10%, 12%
8	TTV μm મહત્તમ	10	10	10	10	10
9	બો/વાર્પ μm મહત્તમ	30	30	30	30	30
10	વાહક જીવનકાળ μs	>200, >300, >400 અથવા જરૂર મુજબ
11	સપાટી સમાપ્ત	જેમ-કટ, લેપ્ડ, પોલિશ્ડ
12	પેકિંગ	અંદર ફોમ બોક્સ, બહાર કાર્ટન બોક્સ.

મૂળભૂત સામગ્રી પરિમાણ

પ્રતીક	Si
અણુ સંખ્યા	14
અણુ વજન	28.09
તત્વ શ્રેણી	મેટાલોઇડ
જૂથ, સમયગાળો, બ્લોક	14, 3, પી
ક્રિસ્ટલ માળખું	હીરા
રંગ	ઘેરો કબુતરી
ગલાન્બિંદુ	1414°C, 1687.15 K
ઉત્કલન બિંદુ	3265°C, 3538.15 K
300K પર ઘનતા	2.329 ગ્રામ/સે.મી³
આંતરિક પ્રતિકારકતા	3.2E5 Ω-સેમી
CAS નંબર	7440-21-3
EC નંબર	231-130-8

FZ-NTD સિલિકોન વેફરઉચ્ચ શક્તિ, ડિટેક્ટર ટેક્નોલોજી અને સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણોમાં એપ્લિકેશન્સ માટે સર્વોચ્ચ મહત્વ છે કે જેને આત્યંતિક પરિસ્થિતિઓમાં કામ કરવું પડે છે અથવા જ્યાં વેફરમાં ઓછી પ્રતિરોધકતા વિવિધતા જરૂરી છે, જેમ કે ગેટ-ટર્ન-ઓફ થાઇરિસ્ટર જીટીઓ, સ્ટેટિક ઇન્ડક્શન થાઇરિસ્ટર SITH, વિશાળ ટ્રાન્ઝિસ્ટર GTR, ઇન્સ્યુલેટ-ગેટ બાયપોલર ટ્રાન્ઝિસ્ટર IGBT, વધારાની HV ડાયોડ PIN.FZ NTD n-ટાઈપ સિલિકોન વેફર વિવિધ ફ્રિક્વન્સી કન્વર્ટર, રેક્ટિફાયર, મોટા-પાવર કંટ્રોલ એલિમેન્ટ્સ, નવા પાવર ઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો, ફોટોઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો, સિલિકોન રેક્ટિફાયર SR, સિલિકોન કંટ્રોલ SCR અને લેન્સ અને વિન્ડો જેવા ઓપ્ટિકલ ઘટકો માટે પણ મુખ્ય કાર્યકારી સામગ્રી તરીકે છે. ટેરાહર્ટ્ઝ એપ્લિકેશન્સ માટે.