ગેલિયમ આર્સેનાઇડ GaAs

વર્ણન

ગેલિયમ આર્સેનાઇડGaAs છે એક જૂથ III-V ના ડાયરેક્ટ બેન્ડ ગેપ કમ્પાઉન્ડ સેમિકન્ડક્ટર ઓછામાં ઓછા 6N 7N ઉચ્ચ શુદ્ધતા ગેલિયમ અને આર્સેનિક તત્વ દ્વારા સંશ્લેષિત, અને ઉચ્ચ શુદ્ધતા પોલિક્રિસ્ટલાઇન ગેલિયમ આર્સેનાઇડ, ગ્રે રંગનો દેખાવ, ઝીંક-બ્લેન્ડ સ્ટ્રક્ચર સાથે ક્યુબિક સ્ફટિકોથી VGF અથવા LEC પ્રક્રિયા દ્વારા ઉગાડવામાં આવેલ ક્રિસ્ટલ.અનુક્રમે એન-ટાઈપ અથવા પી-ટાઈપ અને અર્ધ-ઈન્સ્યુલેટીંગ વાહકતા મેળવવા માટે કાર્બન, સિલિકોન, ટેલ્યુરિયમ અથવા ઝિંકના ડોપિંગ સાથે, એક નળાકાર InAs ક્રિસ્ટલને કાપીને ખાલી કરી શકાય છે અને વેફરને એઝ-કટ, ઇચેડ, પોલિશ્ડ અથવા એપીમાં બનાવી શકાય છે. -MBE અથવા MOCVD એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ માટે તૈયાર.ગેલિયમ આર્સેનાઇડ વેફરનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો જેમ કે ઇન્ફ્રારેડ લાઇટ-એમિટિંગ ડાયોડ્સ, લેસર ડાયોડ્સ, ઓપ્ટિકલ વિન્ડોઝ, ફિલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર FETs, ડિજિટલ ICs અને સૌર કોષોના રેખીય બનાવવા માટે થાય છે.GaAs ઘટકો અલ્ટ્રા-હાઈ રેડિયો ફ્રીક્વન્સીઝ અને ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનિક સ્વિચિંગ એપ્લિકેશન, નબળા-સિગ્નલ એમ્પ્લીફિકેશન એપ્લિકેશન્સમાં ઉપયોગી છે.વધુમાં, ગેલિયમ આર્સેનાઇડ સબસ્ટ્રેટ તેની સંતૃપ્ત હોલ ગતિશીલતા, ઉચ્ચ શક્તિ અને તાપમાન સ્થિરતા માટે ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન્સ અને કંટ્રોલ સિસ્ટમ્સમાં RF ઘટકો, માઇક્રોવેવ ફ્રીક્વન્સી અને મોનોલિથિક ICs અને LEDs ઉપકરણોના ઉત્પાદન માટે એક આદર્શ સામગ્રી છે.

ડિલિવરી

વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશન ખાતે ગેલિયમ આર્સેનાઇડ GaAs એ 2” 3” 4” અને 6” (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) વ્યાસ, p-પ્રકાર, n-પ્રકાર અથવા અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ વાહકતા અને <111> અથવા <100> ઓરિએન્ટેશન સાથે.કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પેસિફિકેશન વિશ્વભરના અમારા ગ્રાહકો માટે સંપૂર્ણ ઉકેલ માટે છે.

હવે પૂછપરછ

વિગતો

ટૅગ્સ

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

ગેલિયમ આર્સેનાઇડ

GaAs

ગેલિયમ આર્સેનાઇડ GaAsવેફર્સનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો જેમ કે ઇન્ફ્રારેડ લાઇટ-એમિટિંગ ડાયોડ્સ, લેસર ડાયોડ્સ, ઓપ્ટિકલ વિન્ડોઝ, ફિલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર FETs, ડિજિટલ ICs અને સૌર કોષોના રેખીય બનાવવા માટે થાય છે.GaAs ઘટકો અલ્ટ્રા-હાઈ રેડિયો ફ્રીક્વન્સીઝ અને ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનિક સ્વિચિંગ એપ્લિકેશન, નબળા-સિગ્નલ એમ્પ્લીફિકેશન એપ્લિકેશન્સમાં ઉપયોગી છે.વધુમાં, ગેલિયમ આર્સેનાઇડ સબસ્ટ્રેટ તેની સંતૃપ્ત હોલ ગતિશીલતા, ઉચ્ચ શક્તિ અને તાપમાન સ્થિરતા માટે ઓપ્ટિકલ કોમ્યુનિકેશન્સ અને કંટ્રોલ સિસ્ટમ્સમાં RF ઘટકો, માઇક્રોવેવ ફ્રીક્વન્સી અને મોનોલિથિક ICs અને LEDs ઉપકરણોના ઉત્પાદન માટે એક આદર્શ સામગ્રી છે.

ના.	વસ્તુઓ	માનક સ્પષ્ટીકરણ
1	કદ	2"	3"	4"	6"
2	વ્યાસ મીમી	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	વૃદ્ધિ પદ્ધતિ	વીજીએફ	વીજીએફ	વીજીએફ	વીજીએફ
4	વાહકતા પ્રકાર	N-Type/Si અથવા Te-doped, P-Type/Zn-doped, અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટિંગ/Un-doped
5	ઓરિએન્ટેશન	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	જાડાઈ μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	ઓરિએન્ટેશન ફ્લેટ મીમી	17±1	22±1	32±1	નોચ
8	ઓળખ ફ્લેટ મીમી	7±1	12±1	18±1	-
9	પ્રતિકારકતા Ω-સેમી	(1-9)E(-3) p-પ્રકાર અથવા n-પ્રકાર માટે, (1-10)E8 અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ માટે
10	ગતિશીલતા cm2/vs	p-ટાઈપ માટે 50-120, n-ટાઈપ માટે (1-2.5)E3, સેમી-ઇન્સ્યુલેટિંગ માટે ≥4000
11	વાહક સાંદ્રતા cm-3	(5-50)પી-ટાઈપ માટે E18, (0.8-4)એન-ટાઈપ માટે E18
12	TTV μm મહત્તમ	10	10	10	10
13	બોવ μm મહત્તમ	30	30	30	30
14	વાર્પ μm મહત્તમ	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	સપાટી સમાપ્ત	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	પેકિંગ	સિંગલ વેફર કન્ટેનર એલ્યુમિનિયમ સંયુક્ત બેગમાં બંધ.
18	ટીકા	વિનંતી પર મિકેનિકલ ગ્રેડ GaAs વેફર પણ ઉપલબ્ધ છે.

લીનિયર ફોર્મ્યુલા	GaAs
મોલેક્યુલર વજન	144.64
ક્રિસ્ટલ માળખું	ઝીંક મિશ્રણ
દેખાવ	ગ્રે સ્ફટિકીય ઘન
ગલાન્બિંદુ	1400°C, 2550°F
ઉત્કલન બિંદુ	N/A
300K પર ઘનતા	5.32 ગ્રામ/સે.મી³
એનર્જી ગેપ	1.424 eV
આંતરિક પ્રતિકારકતા	3.3E8 Ω-સેમી
CAS નંબર	1303-00-0
EC નંબર	215-114-8

ગેલિયમ આર્સેનાઇડ GaAsવેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશનમાં 2” 3” 4” અને 6” (50mm, 75mm, 100mm)ના કદમાં એઝ-કટ, એચેડ, પોલિશ્ડ અથવા એપી-રેડી વેફરમાં પોલીક્રિસ્ટલાઇન લમ્પ અથવા સિંગલ ક્રિસ્ટલ વેફર તરીકે સપ્લાય કરી શકાય છે. , 150mm) વ્યાસ, p-પ્રકાર, n-પ્રકાર અથવા અર્ધ-ઇન્સ્યુલેટીંગ વાહકતા અને <111> અથવા <100> ઓરિએન્ટેશન સાથે.કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પેસિફિકેશન વિશ્વભરના અમારા ગ્રાહકો માટે સંપૂર્ણ ઉકેલ માટે છે.