Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

એપિટેક્સિયલ (EPI) સિલિકોન વેફર

વર્ણન

એપિટેક્સિયલ સિલિકોન વેફરઅથવા EPI સિલિકોન વેફર, એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ દ્વારા સિલિકોન સબસ્ટ્રેટની પોલિશ્ડ ક્રિસ્ટલ સપાટી પર જમા થયેલ સેમિકન્ડક્ટિંગ ક્રિસ્ટલ સ્તરનું વેફર છે.એપિટેક્સિયલ સ્તર સજાતીય એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ દ્વારા સબસ્ટ્રેટ તરીકે સમાન સામગ્રી હોઈ શકે છે અથવા વિજાતીય એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ દ્વારા ચોક્કસ ઇચ્છનીય ગુણવત્તા સાથેનું વિદેશી સ્તર હોઈ શકે છે, જે એપિટેક્સિયલ વૃદ્ધિ તકનીકને અપનાવે છે જેમાં રાસાયણિક વરાળ ડિપોઝિશન CVD, લિક્વિડ ફેઝ એપિટાક્સી LPE, તેમજ મોલેક્યુલર બીમનો સમાવેશ થાય છે. ઓછી ખામી ઘનતા અને સારી સપાટીની ખરબચડીની સર્વોચ્ચ ગુણવત્તા હાંસલ કરવા માટે epitaxy MBE.સિલિકોન એપિટેક્સિયલ વેફર્સનો ઉપયોગ મુખ્યત્વે અદ્યતન સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણો, ઉચ્ચ સંકલિત સેમિકન્ડક્ટર તત્વો ICs, સ્વતંત્ર અને પાવર ઉપકરણોના ઉત્પાદનમાં થાય છે, જેનો ઉપયોગ ડાયોડ અને ટ્રાન્ઝિસ્ટર અથવા IC માટે સબસ્ટ્રેટ જેવા કે બાયપોલર પ્રકાર, MOS અને BiCMOS ઉપકરણો માટે પણ થાય છે.વધુમાં, મલ્ટિપલ લેયર એપિટેક્સિયલ અને જાડી ફિલ્મ EPI સિલિકોન વેફર્સનો વારંવાર માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સ, ફોટોનિક્સ અને ફોટોવોલ્ટેઇક્સ એપ્લિકેશનમાં ઉપયોગ થાય છે.

ડિલિવરી

વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશન ખાતે એપિટેક્સિયલ સિલિકોન વેફર્સ અથવા EPI સિલિકોન વેફર 4, 5 અને 6 ઇંચ (100mm, 125mm, 150mm વ્યાસ), ઓરિએન્ટેશન <100>, <111>, <1ohm ની એપિલેયર પ્રતિકારકતા સાથે ઓફર કરી શકાય છે. -સેમી અથવા 150ઓહ્મ-સેમી સુધી, અને એપિલેયરની જાડાઈ <1um અથવા 150um સુધી, કોતરણી અથવા એલટીઓ ટ્રીટમેન્ટની સપાટીની પૂર્ણાહુતિમાં વિવિધ આવશ્યકતાઓને સંતોષવા માટે, બહાર કાર્ટન બોક્સ સાથે કેસેટમાં પેક, અથવા સંપૂર્ણ ઉકેલ માટે કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પષ્ટીકરણ તરીકે .

હવે પૂછપરછ

વિગતો

ટૅગ્સ

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

એપી સિલિકોન વેફર

એપિટેક્સિયલ સિલિકોન વેફર્સઅથવા વેસ્ટર્ન મિનમેટલ્સ (SC) કોર્પોરેશન ખાતે EPI સિલિકોન વેફર 4, 5 અને 6 ઇંચ (100mm, 125mm, 150mm વ્યાસ), ઓરિએન્ટેશન <100>, <111>, <1ohm-cm ની એપિલેયર પ્રતિકારકતા સાથે ઓફર કરી શકાય છે. 150ohm-cm સુધી, અને એપિલેયરની જાડાઈ <1um અથવા 150um સુધી, કોતરણી અથવા એલટીઓ ટ્રીટમેન્ટની સપાટીની પૂર્ણાહુતિમાં વિવિધ જરૂરિયાતોને સંતોષવા માટે, બહાર કાર્ટન બોક્સ સાથે કેસેટમાં પેક કરવામાં આવે છે, અથવા સંપૂર્ણ ઉકેલ માટે કસ્ટમાઇઝ્ડ સ્પષ્ટીકરણ તરીકે.

પ્રતીક	Si
અણુ સંખ્યા	14
અણુ વજન	28.09
તત્વ શ્રેણી	મેટાલોઇડ
જૂથ, સમયગાળો, બ્લોક	14, 3, પી
ક્રિસ્ટલ માળખું	હીરા
રંગ	ઘેરો કબુતરી
ગલાન્બિંદુ	1414°C, 1687.15 K
ઉત્કલન બિંદુ	3265°C, 3538.15 K
300K પર ઘનતા	2.329 ગ્રામ/સે.મી³
આંતરિક પ્રતિકારકતા	3.2E5 Ω-સેમી
CAS નંબર	7440-21-3
EC નંબર	231-130-8

ના.	વસ્તુઓ	માનક સ્પષ્ટીકરણ
1	સામાન્ય લાક્ષણિકતાઓ
1-1	કદ	4"	5"	6"
1-2	વ્યાસ મીમી	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	ઓરિએન્ટેશન	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	એપિટેક્સિયલ લેયર લાક્ષણિકતાઓ
2-1	વૃદ્ધિ પદ્ધતિ	સીવીડી	સીવીડી	સીવીડી
2-2	વાહકતા પ્રકાર	P અથવા P+, N/ અથવા N+	P અથવા P+, N/ અથવા N+	P અથવા P+, N/ અથવા N+
2-3	જાડાઈ μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	જાડાઈ એકરૂપતા	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	પ્રતિકારકતા Ω-સેમી	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	પ્રતિકારકતા એકરૂપતા	≤3%	≤5%	-
2-7	ડિસલોકેશન સેમી-2	<10	<10	<10
2-8	સપાટી ગુણવત્તા	કોઈ ચિપ, ઝાકળ અથવા નારંગીની છાલ, વગેરે બાકી નથી.
3	હેન્ડલ સબસ્ટ્રેટ લાક્ષણિકતાઓ
3-1	વૃદ્ધિ પદ્ધતિ	CZ	CZ	CZ
3-2	વાહકતા પ્રકાર	પી/એન	પી/એન	પી/એન
3-3	જાડાઈ μm	525-675	525-675	525-675
3-4	જાડાઈ એકરૂપતા મહત્તમ	3%	3%	3%
3-5	પ્રતિકારકતા Ω-સેમી	જરૂર મુજબ	જરૂર મુજબ	જરૂર મુજબ
3-6	પ્રતિકારકતા એકરૂપતા	5%	5%	5%
3-7	TTV μm મહત્તમ	10	10	10
3-8	બોવ μm મહત્તમ	30	30	30
3-9	વાર્પ μm મહત્તમ	30	30	30
3-10	EPD cm-2 મહત્તમ	100	100	100
3-11	એજ પ્રોફાઇલ	ગોળાકાર	ગોળાકાર	ગોળાકાર
3-12	સપાટી ગુણવત્તા	કોઈ ચિપ, ઝાકળ અથવા નારંગીની છાલ, વગેરે બાકી નથી.
3-13	બેક સાઇડ ફિનિશ	ઇચ્ડ અથવા LTO (5000±500Å)
4	પેકિંગ	અંદર કેસેટ, બહાર કાર્ટન બોક્સ.

સિલિકોન એપિટેક્સિયલ વેફર્સમુખ્યત્વે અદ્યતન સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણો, ઉચ્ચ સંકલિત સેમિકન્ડક્ટર તત્વો ICs, સ્વતંત્ર અને પાવર ઉપકરણોના ઉત્પાદનમાં ઉપયોગમાં લેવાય છે, જેનો ઉપયોગ ડાયોડ અને ટ્રાન્ઝિસ્ટર અથવા IC માટે સબસ્ટ્રેટ જેવા કે બાયપોલર પ્રકાર, MOS અને BiCMOS ઉપકરણો માટે પણ થાય છે.વધુમાં, મલ્ટિપલ લેયર એપિટેક્સિયલ અને જાડી ફિલ્મ EPI સિલિકોન વેફર્સનો વારંવાર માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સ, ફોટોનિક્સ અને ફોટોવોલ્ટેઇક્સ એપ્લિકેશનમાં ઉપયોગ થાય છે.